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Descrição

Integração de transístores de filme fino e memristors à base de óxidos em redes neuromórficas

Este projeto visa a integração de transístores de filme fino com memristores em circuitos neuromórficos através da aplicação de um material ativo comum. As características inerentes de um memristor são ideais para redes neurais artificiais. A possibilidade de computação paralela, o nível sem precedentes de integração de dispositivos e o tamanho nanométrico do elemento memristor aumentam a eficiência energética e a miniaturização de circuitos para além dos limites da tecnologia CMOS. Tanto o semicondutor quanto a camada de comutação resistiva serão construídos com base num semicondutor de óxido amorfo. Uma vez que os circuitos resultantes podem ser transparentes e flexíveis, é possível antever inúmeras e importantes aplicações. A deposição de filme fino é bem controlada e feita por deposição física de vapor, bem como por síntese baseada em solução que é inovadora e de baixo custo. Esta última abordagem permite considerar a criação de uma empresa spin-off em Portugal, uma vez que é evitada a concorrência direta com a indústria de manufatura a vácuo em larga escala.

Detalhes

Mais Informação

  • Acrónimo

    NeurOxide
  • Início

    01 outubro 2018
  • Orçamento global

    239.895,83 €
    • Financiado por

    Equipa
    001

    Centros Associados

    CTM

    Centro

    Centro de Telecomunicações e Multimédia